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C43610RH是一款60V半桥GaN驱动器,专为高频率、高效率的应用而开发, 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及5ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。芯片内置LDO,提供与电源电压无关的5V栅极驱动器电压。 C43610RH具有两种输入控制模式:独立输入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中,每个输出都由专用输入独立控制。在PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,每个沿的死区时间可在10~100ns之间调节。
C43610RH下载(C43610RH_Datasheet.pdf)
电话:0571-81023676
邮 箱:market@hxysemi.com
公司地址:浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢603室
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